TSM200N03DPQ33 RGG, MOSFETs 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005523298
- Артикул
- TSM200N03DPQ33 RGG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.3
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 70,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 20A Dual N-Chann el Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.3 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4.6 ns |
| Особенности | полевая сборка |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | PDFN-33-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | Dual N-Channel PowerMOSFET |
| Qg - заряд затвора | 4.1 nC |
| Время нарастания | 7.2 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |