TSM180P03CS RLG, Транзистор P-МОП, полевой, 30В 10A 2,5Вт 0,018Ом SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645995
- Артикул
- TSM180P03CS RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 30В 10A 2,5Вт 0,018Ом SO8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 3.9 |
| Package Length | 4.85 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | P-МОП |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 14.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 21.8 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 14.6@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 59.8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1730@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 18@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 018Ом |