TSM180N03CS RLG, MOSFETs 30V, 9A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062314950
- Артикул
- TSM180N03CS RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.09
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 65,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V N-Channel Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.09 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 4.6 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 4.1 nC |
| Время нарастания | 7.2 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |