TSM170N06PQ56 RLG, MOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034089032
- Артикул
- TSM170N06PQ56 RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 110,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 60 В 44 А (Tc) 73,5 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-PDFN (5x6)
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 73.5W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-PDFN(5x6) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1556 pF @ 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |