Моя заявка (0)

TSM160P02CS RLG, Транзистор P-МОП, полевой, 20В 11A 2,5Вт 0,016Ом SO8

TSM160P02CS RLG, Транзистор P-МОП, полевой, 20В 11A 2,5Вт 0,016Ом SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024645994
Артикул
TSM160P02CS RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Вес, г
0.1
Упаковка
Reel, Cut Tape
Структура
P-МОП
Технология
Si
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 20В 11A 2,5Вт 0,016Ом SO8

Технические параметры

Вес, г0.1
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураP-МОП
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада28.8 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокSOP-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора27 nC
Время нарастания43.5 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Id - непрерывный ток утечки11 A
Размер фабричной упаковки2500
Чувствительный к влажностиYes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения114 ns
Типичное время задержки при включении16.2 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 016Ом

Техническая документация