TSM160N10LCR RLG, 100V 46A 20m @4.5V 83W 2.5V@250uA 1 N-Channel PDFN-8(5x6) Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061942154
- Артикул
- TSM160N10LCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.18
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 21 ns
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V, 46A, Single N- Channel Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.18 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 21 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | PDFN56-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 73 nC |
| Время нарастания | 19 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 46 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |