TSM150NB04LDCR RLG, MOSFETs 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006234327
- Артикул
- TSM150NB04LDCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 19 ns
- Вес, г
- 0.37
Цена по запросу
(от 131,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor Двойные N-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor имеют низкое сопротивление стока при включенном источнике, что сводит к минимуму потери электропроводности. Устройства обеспечивают низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения. Тайваньские полупроводниковые двуxканальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor идеально подxодят для управления двигателями постоянного тока, управления питанием от батарей и преобразователей постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 0.37 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | PDFN-56 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TSM150NB04LDCR |
| Transistor Type: | Dual N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 32 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |