TSM110NB04LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 12А, 23Вт, PDFN56
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645957
- Артикул
- TSM110NB04LCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- TSM
- Корпус
- PDFN5x6
- Упаковка
- Reel
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 12А, 23Вт, PDFN56
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | TSM |
| Корпус | PDFN5x6 |
| Упаковка | Reel |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | PDFN56-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | Single N-Channel Power MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 54 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +7 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 34 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 23 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |