TSM090N03ECP ROG, N-Channel 30 V 50A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063956174
- Артикул
- TSM090N03ECP ROG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 55Amp N channel Mosfet with ESD protection
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8.2 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.7 nC |
| Время нарастания | 12.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 27.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |