Моя заявка (0)

TSM090N03CP ROG, Транзистор N-МОП, полевой, 30В 55A 40Вт 0,009Ом TO252

TSM090N03CP ROG, Транзистор N-МОП, полевой, 30В 55A 40Вт 0,009Ом TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062314963
Артикул
TSM090N03CP ROG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Width
5.8mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 62 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V, 50A, Single N-Channel Power МОП-транзистор

Технические параметры

Width5.8mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8.2 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation40 W
Typical Gate Charge @ Vgs7.5 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора7.5 nC
Maximum Drain Source Resistance13 mΩ
Время нарастания12.5 ns
Maximum Continuous Drain Current55 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности40 W
Id - непрерывный ток утечки55 A
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Чувствительный к влажностиYes
Rds Вкл - сопротивление сток-исток7.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения27.6 ns
Типичное время задержки при включении4.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V

Техническая документация