TSM089N08LCR RLG, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 12А, 17Вт, PDFN56U
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024645955
- Артикул
- TSM089N08LCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 12А, 17Вт, PDFN56U
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | PDFN5x6 |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 5.75 |
| Package Length | 4.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PDFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | DFN |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Rise Time (ns) | 21 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 83000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 90 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 45@4.5V|90@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 80 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 67 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6119@40V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8.9@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |