Моя заявка (0)

TSM085N03PQ33 RGG, MOSFETs 30V, 52A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM085N03PQ33 RGG, MOSFETs 30V, 52A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007257066
Артикул
TSM085N03PQ33 RGG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
8.2 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
12.5 ns
Цена по запросу
(от 69,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:8.2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:12.5 ns
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:PDFN33-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TSM085N03PQ33
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:14.3 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:37 W
Typical Turn-On Delay Time:4.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:27.6 ns
Id - Continuous Drain Current:13 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А52
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.2 mOhms

Техническая документация