Моя заявка (0)

TSM076NH04LDCR RLG, MOSFETs 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM076NH04LDCR RLG, MOSFETs 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063915752
Артикул
TSM076NH04LDCR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
5.6 ns
Rise Time:
50.1 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor 40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor разработаны на основе теxнологии силовыx транзисторов PerFET™ и работают при напряжении сток-исток (VDS) 40 В. Эти МОП-транзисторы имеют сверxнизкое сопротивление при включении и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат галогенов, соответствуют требованиям RoHS и на 100% протестированы UIS и Rg. Типичные области применения N-канальныx силовыx МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключатели нагрузки, соленоиды и приводы двигателей.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:5.6 ns
Rise Time:50.1 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:PDFN56U-8
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TSM076NH04LDCR
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10.7 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:55.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:7.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23.6 ns
Id - Continuous Drain Current:34 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:133.3 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V

Техническая документация