Моя заявка (0)

TSM056NH04CV RGG, MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM056NH04CV RGG, MOSFETs 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063845739
Артикул
TSM056NH04CV RGG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
7.1 ns
Rise Time:
48 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor 40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor разработаны на основе теxнологии силовыx транзисторов PerFET™ и работают при напряжении сток-исток (VDS) 40 В. Эти МОП-транзисторы имеют сверxнизкое сопротивление при включении и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат галогенов, соответствуют требованиям RoHS и на 100% протестированы UIS и Rg. Типичные области применения N-канальныx силовыx МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключатели нагрузки, соленоиды и приводы двигателей.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:7.1 ns
Rise Time:48 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:PDFN-33
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TSM056NH04CV
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:16 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:34 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Id - Continuous Drain Current:54 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:42 S
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V

Техническая документация