TSM052NB03CR RLG, MOSFETs 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488164
- Артикул
- TSM052NB03CR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.38
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 9 ns
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 90A Single N-Chn Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.38 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | PDFN-56-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 41 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 90 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |