Моя заявка (0)

TSM052NB03CR RLG, MOSFETs 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM052NB03CR RLG, MOSFETs 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006211194
Артикул
TSM052NB03CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Вес, г
1
Структура
N-Channel
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 108,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V 90A Single N-Chn Power МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада9 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаTaiwan Semiconductor
Упаковка / блокPDFN-56-8
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора41 nC
Время нарастания15 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности83 W
Id - непрерывный ток утечки90 A
Крутизна характеристики, S50 S
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-10 V, +7 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+175 C
Типичное время задержки выключения22 ns
Типичное время задержки при включении6 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.50 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20 V, +20 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.2 mOhms

Техническая документация