TSM033NB04CR RLG, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 21А, 36Вт, PDFN56U
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488200
- Артикул
- TSM033NB04CR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- TSM
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 181,05 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V 121Amp 3.3mOhm N Chan Mosfet
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | TSM |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Упаковка / блок | PDFN56-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | Single N-Channel Power MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 77 nC |
| Время нарастания | 22 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 121 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 64 S |