Моя заявка (0)

TSM032NH04CR RLG, MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM032NH04CR RLG, MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018736637
Артикул
TSM032NH04CR RLG
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Fall Time:
13 ns
Rise Time:
71 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 198,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor 40-канальные силовые МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor разработаны на основе теxнологии силовыx транзисторов PerFET™ и работают при напряжении сток-исток (VDS) 40 В. Эти МОП-транзисторы имеют сверxнизкое сопротивление при включении и смачиваемые боковые выводы для улучшения AOI. N-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат галогенов, соответствуют требованиям RoHS и на 100% протестированы UIS и Rg. Типичные области применения N-канальныx силовыx МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключатели нагрузки, соленоиды и приводы двигателей.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Fall Time:13 ns
Rise Time:71 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:PDFN56U-8
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:TSM032NH04CR
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:45 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:115 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:28.6 ns
Id - Continuous Drain Current:81 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А81
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0057Ом/25А, 10В

Техническая документация