TSM024NA04LCR RLG, Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PDFN EP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002294477
- Артикул
- TSM024NA04LCR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 240 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-контактный PDFN EP
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 5.75 |
| Package Length | 4.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PDFN EP |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 7.8 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.6 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2600 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 33@4.5V|67@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 25 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4224@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2.4@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |