TSM018NB03CR RLG, MOSFETs 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062488210
- Артикул
- TSM018NB03CR RLG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 45 ns
- Rise Time:
- 50 ns
- Вес, г
- 0.38
Цена по запросу
(от 238,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30-Вольтовые одноканальные МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor 30-Вольтовые одноканальные МОП-транзисторы Taiwan Semiconductor имеют низкое сопротивление RDS (ON) (сток-источник в рабочем состоянии), что сводит к минимуму потери электропроводности. Эти устройства также имеют низкий уровень заряда затвора для быстрого переключения. Эти N-канальные силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для управления питанием аккумулятора, переключения нагрузки, управления двигателем и преобразователей постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 45 ns |
| Rise Time: | 50 ns |
| Вес, г | 0.38 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | PDFN-56-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TSM018NB03CR |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 194 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |