TSG65N195CE RVG, E-mode GaN N-Ch 650V 11A PDFN88
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062942651
- Артикул
- TSG65N195CE RVG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 0.45
Цена по запросу
(от 940 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.45 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PDFN-8 |
| Part # Aliases: | TSG65N195CE |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 2.2 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |