TSG65N190CR RVG, GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031940917
- Артикул
- TSG65N190CR RVG
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 055,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | PDFN5x6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Package/Case: | PDFN-6 |
| Product Type: | GaN FETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | TSG65N190CR |
| Product Category: | GaN FETs |
| Qg - Gate Charge: | 2.2 nC |
| Структура | E-Mode |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 190 mOhms |