Моя заявка (0)
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) TK6A65D

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8971821057
Бренд
Toshiba
Series
ПЂ-MOSVII
FET Type
N-Channel
Packaging
Tube
Vgs (Max)
В±30V
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6А 45Вт

Технические параметры

SeriesПЂ-MOSVII
FET TypeN-Channel
PackagingTube
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г3.5
Длина10 mm
СерияTK6A65D
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerToshiba Semiconductor and Storage
Высота15 mm
КорпусTO-220SIS(SC- 67)-(TOSHIBA 2-10U1B)
Ширина4.5 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.11Ohm @ 3A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)45W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220SIS
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Qg - заряд затвора20 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C6A(Ta)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности45 W
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеMOSVII
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.11 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация