Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) TK100E08N1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055422073
- Бренд
- Toshiba
- Width
- 4.45mm
- Series
- TK
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 25
Цена по запросу
(от 640 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TK100E08N1,S1X, Транзистор
Технические параметры
| Width | 4.45mm |
| Series | TK |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 25 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 255 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 214 A |