Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STW35N60DM2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001947660
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 5.15mm
- Series
- MDmesh DM2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4.43
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW35N60DM2 от компании STMicroelectronics – это надежный компонент для силовой электроники. Устройство с монтажом THT гарантирует простую интеграцию в различные электронные схемы. Данный N-MOSFET транзистор имеет ток стока 17 А и выдерживает напряжение сток-исток до 600 В, что делает его идеальным выбором для высоковольтных применений. С мощностью 210 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,094 Ом, он отличается высокой эффективностью и минимальными тепловыми потерями. Все это размещено в прочном корпусе TO247, что обеспечивает устойчивость к физическим воздействиям и долгий срок службы. Ищите STW35N60DM2 для ваших проектов, когда требуется надежное и мощное управление током. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 17 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 210 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.094 Корпус TO247
Технические параметры
| Width | 5.15mm |
| Series | MDmesh DM2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4.43 |
| Серия | STW35N60DM2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10.7 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Время нарастания | 17 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |