Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STP14NM50N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070533486
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- MDmesh II Power MOSFET
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
Цена по запросу
(от 312 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 8А, 90Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MDmesh II Power MOSFET |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 4.6mm |
| Series | N-channel MDmesh |
| Тип | MDmesh II Power MOSFET |
| Fall Time | 32 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 9 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STP14NM50N |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Configuration | Dual Drain |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 42 nC |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 32 ns |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Время нарастания | 9 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.28Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 90 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |