Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STL130N8F7

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STL130N8F7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070502400
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
N-channel STripFET
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
SeriesN-channel STripFET
Series:STL130N8F7
PackagingReel
Fall Time:44 ns
Rise Time:51 ns
TechnologySi
Tradename:STripFET
Вес, г1
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationDual Dual Drain
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerFLAT-5x6-8
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerFLAT-5x6-8
Transistor Type2 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge110 nC
Transistor Type:1 N-Channel Power MOSFET
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:96 nC
Number of Channels2 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation5 W
Pd - Power Dissipation:135 W
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:82 ns
Id - Continuous Drain Current24 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance4.6 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:3.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage80 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация