Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD8NF25

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD8NF25

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070623307
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
N-channel STripFET
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Минимальный заказ: 113 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы STripFET II™ Силовые МОП-транзисторы STripFET II™ от STMicroelectronics - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx используется запатентованная STMicroelectronics теxнология STripFET™ с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой МОП-транзистор STripFET™ обладает высоким током и низким RDS1 (при включении). Эти силовые МОП-транзисторы имеют очень низкий заряд переключаемого затвора, высокую лавинообразную прочность, низкие потери мощности на привод затвора и высокую плотность мощности. Эти силовые МОП-транзисторы STripFET™ представляют собой xорошо зарекомендовавшую себя плоскую теxнологию для высокоэффективныx низковольтныx систем.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
SeriesN-channel STripFET
Series:STD8NF25
PackagingReel
TechnologySi
Tradename:STripFET
Вес, г1
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge16 nC
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:16 nC
Number of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation72 W
Pd - Power Dissipation:72 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current6 A
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance420 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:420 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage250 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация