Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD6N80K5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001940303
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 1.6@10V Ohm
- Package
- 3DPAK
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 225 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 800 В, 4,5 А, TO-252; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 4,5 А; Напряжение источника стока Vds: 800 В; Сопротивление включения Rds(on): 1,3 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:4 В; Рассеиваемая мощность Pd: 85 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-252; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия MDmesh K5; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (07-Июль-2017 год)
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 1.6@10V Ohm |
| Package | 3DPAK |
| Mounting | Surface Mount |
| Rad Hard | No |
| Packaging | Tape & Reel |
| Вес, г | 0.382 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 30 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |