Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD6N52K3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8519445467
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD6N52K3
- Fall Time:
- 18 ns
- Rise Time:
- 11 ns
Цена по запросу
(от 49,14 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 5A
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD6N52K3 |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.8 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 525 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |