Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD5N60M2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072356180
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Серия
- STD5N60M2
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | STD5N60M2 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 8.5 nC |
| Время нарастания | 3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |