Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD4N62K3

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD4N62K3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8748916294
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Type
SuperMesh3 Power MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Series
N-channel MDmesh
Цена по запросу
(от 43,50 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В

Технические параметры

RoHSDetails
TypeSuperMesh3 Power MOSFET
BrandSTMicroelectronics
SeriesN-channel MDmesh
ТипSuperMesh3 Power MOSFET
PackagingReel
TechnologySi
Вес, г0.6
СерияSTD4N62K3
ManufacturerSTMicroelectronics
КорпусDPAK
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge14 nC
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity2500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation70 W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage3 V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-252-3
Id - Continuous Drain Current3.8 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора14 nC
Rds On - Drain-Source Resistance1.95 Ohms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage620 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4.5 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности70 W
Id - непрерывный ток утечки3.8 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Крутизна характеристики, S-
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток3 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.95 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток620 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.95 Ohms

Техническая документация