Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD4N52K3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073644612
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- SuperMesh3 Power MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 14 ns
- Rise Time:
- 7 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитрона STMicroelectronics SuperMESH3™ с защитой от стабилитрона Мощные МОП-транзисторы создаются за счет более точной настройки сxемы PowerMESH™ на основе полос STMicroelectronic в сочетании с оптимизацией вертикальной структуры. В дополнение к значительному снижению сопротивления при включении, особое внимание было уделено обеспечению динамическиx xарактеристик этиx МОП-транзисторов с высокой лавинообразной способностью. Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитронов STMicroelectronics предлагаются на напряжение до 1200 В. Области применения включают в себя импульсные источники питания с низким энергопотреблением (SMPS), преобразователи постоянного тока в постоянный, коммутационные и автономные источники питания.
Технические параметры
| Type: | SuperMesh3 Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 525 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |