Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD40P8F6AG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033617856
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.33
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 393 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 40A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 73 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |