Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD30N6LF6AG

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD30N6LF6AG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001948798
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Fall Time
7 ns
Packaging
Reel
Цена по запросу
(от 133,28 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60 В, TO-252; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 24 А; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,019 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:2,5 В;

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Fall Time7 ns
PackagingReel
Rise Time19 ns
TechnologySi
Вес, г0.4
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
ManufacturerSTMicroelectronics
Configuration1 N-Channel
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge26 nC
Power Dissipation40Вт
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation40 W
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time10 ns
Typical Turn-Off Delay Time56 ns
Id - Continuous Drain Current24 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Rds On - Drain-Source Resistance30 mOhms
Линейка ПродукцииSTripFET F6
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1 V
Непрерывный Ток Стока24А
Рассеиваемая Мощность40Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация