Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD2N105K5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8035162255
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 8@10V Ohm
- Series:
- STD2N105K5
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 263,45 ₽)
Минимальный заказ: 7 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 8@10V Ohm |
| Series: | STD2N105K5 |
| Mounting | Surface Mount |
| Fall Time: | 38.5 ns |
| Rise Time: | 8.5 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Typical Fall Time | 38.5 ns |
| Typical Rise Time | 8.5 ns |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 115pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1050 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.05 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |