Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD20NF20
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070639504
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Series
- STripFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STD20NF20 от STMicroelectronics – высокопроизводительный компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Устройство имеет тип N-MOSFET, что обеспечивает эффективное управление током, и монтируется по технологии SMD, что гарантирует удобство в интеграции на печатные платы. С током стока до 18 А и напряжением сток-исток до 200 В, этот транзистор способен выдерживать значительные нагрузки, имея при этом мощность до 90 Вт. Корпус DPAK обеспечивает надежную механическую защиту и хороший теплоотвод. Используйте код STD20NF20 для удобства поиска и заказа этого компонента в нашем магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 18 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 90 Корпус DPAK
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Series | STripFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | рассеиваемая(max)-110 Вт |
| Описание | N-Channel 200 V 18A(Tc)110W(Tc)Surface Mount DPAK |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Емкость, пФ | 940 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Тип проводимости | N |
| Drain Source On State Resistance | 0.125Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Заряд затвора, нКл | 39 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 18 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/500 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.125Ом |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 125 |