Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD1NK80ZT4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075244331
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- SuperMESH
- Series:
- STD1NK80Z
Цена по запросу
(от 50,29 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 45Вт
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | SuperMESH |
| Series: | STD1NK80Z |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 55 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 0.6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | DPAK |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.8 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13 Ohms |