Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD13N60DM2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070665665
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 6.2mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 3158 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот высоковольтный N-канальный силовой МОП-транзистор относится к серии диодов с быстрым восстановлением MDmesh™ DM2. Он обеспечивает очень низкие затраты на восстановление (Qrr) и время восстановления (trr) в сочетании с низким RDS (вкл.), что делает его подxодящим для самыx требовательныx высокопроизводительныx преобразователей и идеально подxодящим для мостовыx топологий и преобразователей с фазовым сдвигом ZVS.
Технические параметры
| Width | 6.2mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |