Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD10NM60ND
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070540856
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- FDmeshв(ў II
- Series:
- STD10NM60ND
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | FDmeshв(ў II |
| Series: | STD10NM60ND |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Digi-ReelВ® |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Standard Package | 1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Power Dissipation (Max) | 70W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 577pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |