Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD10NM60ND

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) STD10NM60ND

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009152265
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
FDmeshв(ў II
Series:
STD10NM60ND
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 82,12 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
SeriesFDmeshв(ў II
Series:STD10NM60ND
FET TypeN-Channel
PackagingDigi-ReelВ®
Vgs (Max)В±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1.13
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
КорпусDPAK/TO-252AA
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Standard Package1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:19 nC
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250ВµA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 4A, 10V
Особенности-
Pd - Power Dissipation:70 W
Power Dissipation (Max)70W(Tc)
Supplier Device PackageDPAK
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:600 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds577pF @ 50V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C8A(Tc)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.57 Ом

Техническая документация