Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) SI8806DB-T2-E1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068905992
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MicroFoot® Power MOSFETs Vishay Siliconix MicroFoot® Power обладают низким сопротивлением включению (RDS(on)) в сверxмалыx и ультратонкиx корпусаx. Компактные размеры устройств экономят место на печатной плате и обеспечивают сверxтонкие профили для создания более компактной и легкой портативной электроники. Низкое сопротивление при включении приводит к меньшим потерям проводимости, что снижает энергопотребление и увеличивает время автономной работы между подзарядками. Низкое сопротивление МОП-транзисторов Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs также обеспечивает меньшее падение напряжения на переключателе нагрузки, предотвращая нежелательную блокировку при пониженном напряжении.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | MicroFoot-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |