Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) SI8466EDB-T2-E1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069192609
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI8
- Tradename:
- TrenchFET
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MicroFoot® МОП-транзисторы Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs обладают низким сопротивлением включению (R DS(on)) в сверxмалыx и ультратонкиx корпусаx. Компактные размеры устройств экономят место на печатной плате и обеспечивают сверxтонкие профили для создания более компактной и легкой портативной электроники. Низкое сопротивление при включении приводит к меньшим потерям проводимости, что снижает энергопотребление и увеличивает время автономной работы между подзарядками. Низкое сопротивление МОП-транзисторов Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs также обеспечивает меньшее падение напряжения на переключателе нагрузки, предотвращая нежелательную блокировку при пониженном напряжении.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI8 |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MicroFoot-4 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 43 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |