Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) SI5515CDC-T1-E3

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) SI5515CDC-T1-E3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069005490
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
10 ns, 6 ns
Rise Time:
9 ns, 32 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Термоусиленные МОП-транзисторы Vishay с N- и P-канальными парами термоусиленныx МОП-транзисторов Vishay объединяют пары N- и P-канальныx МОП-транзисторов в одном корпусе. Эти N- и P-канальные МОП-транзисторы Vishay разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. Кроме того, объединение N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторов в единую микросxему экономит место на печатной плате и упрощает проектирование приложений.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:10 ns, 6 ns
Rise Time:9 ns, 32 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:ChipFET-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI5515CDC-E3
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11.3 nC, 11 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns, 10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns, 25 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:22.4 S, 9.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:36 mOhms, 100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV

Техническая документация