Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) RF4E080GN
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001940739
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Series
- RF4E080GN
- Fall Time
- 2.4 ns
Цена по запросу
(от 61,20 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 8A с 8-контактным разъемом HUML EP T/R
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Series | RF4E080GN |
| Fall Time | 2.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 3.6 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN2020-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 5.8 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |