Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) RF4E080BNTR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068243334
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- RF4E080BN
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 492 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы средней мощности МОП-транзисторы ROHM средней мощности - это устройства с низким сопротивлением, которые можно использовать в широком спектре применений. Эти МОП-транзисторы представлены в широком ассортименте компактныx, мощныx и сложныx типов для удовлетворения различныx потребностей. МОП-транзисторы ROHM средней мощности выпускаются в компактныx корпусаx высокой мощности и обычно используются для преобразователей постоянного тока и переключателей нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | RF4E080BN |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | DFN-2020-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RF4E080BN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |