Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) NTA4151PG

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003769598
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
Details
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor
Width
0.8 mm
Цена по запросу
(от 14,57 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P CH, -20 В, 760 МА, SC-75-3; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id:760 мА; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,26 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Напряжение питания: -450 мВ; Рассеиваемая мощность Pd: 301 МВт; Тип корпуса транзистора: SC-75; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (27 июня-2018); Минимальная рабочая температура: -55°C

Технические параметры

RoHSDetails
TypeMOSFET
BrandON Semiconductor
Width0.8 mm
Height0.75 mm
Length1.6 mm
SeriesNTA4151P
ProductMOSFET Small Signal
Fall Time8.2 ns
PackagingReel
Rise Time8.2 ns
TechnologySi
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSC-75-3
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation301 mW
Vgs - Gate-Source Voltage6 V
Typical Turn-On Delay Time8 ns
Typical Turn-Off Delay Time29 ns
Id - Continuous Drain Current-760 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min0.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance490 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-20 V

Техническая документация