Моя заявка (0)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) NCE30H10K

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) NCE30H10K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068306685
Бренд
NCE
Вес, г
1
Transistor Polarity
N Channel
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 250uA
Rds On - Drain-Source Resistance
5.5mО© @ 20A,10V
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Transistor PolarityN Channel
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 250uA
Rds On - Drain-Source Resistance5.5mО© @ 20A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)110W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C100A

Техническая документация