Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IXTP3N50D2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069712699
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO220AB
- Тип
- Depletion Mode MOSFET
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 611,38 ₽)
Минимальный заказ: 300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 3A
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Тип | Depletion Mode MOSFET |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.66 mm |
| Серия | IXTP3N50 |
| Gate charge | 1.07µC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 16 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Drain current | 3A |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| On-state resistance | 1.5Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Технология | Si |
| Reverse recovery time | 24ns |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 42 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 40 nC |
| Время нарастания | 71 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 56 ns |
| Типичное время задержки при включении | 27 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.3 S |