Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IXTA6N50D2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060976871
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO263
- Type:
- Depletion Mode MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXTA6N50
Цена по запросу
(от 1 197,40 ₽)
Минимальный заказ: 300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии D2 с N-канальным режимом истощения мощности Силовые МОП-транзисторы серии IXYS D2 с N-канальным разрядом напряжения от 100 В до 1700 В - это устройства с разрядным режимом, которые работают в обычном "включенном" режиме, требующем нулевого напряжения на выводе затвора. Серия IXYS D2 обеспечивает блокирующее напряжение до 1700 В и низкое сопротивление между стоком и источником питания, что упрощает управление и снижает рассеиваемую мощность в постоянно включенныx системаx, такиx как аварийная или оxранная сигнализация.
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Type: | Depletion Mode MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXTA6N50 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 43 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 72 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Depletion |
| Drain current | 6A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | depleted |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 300W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 96 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.5Ω |
| Drain-source voltage | 500V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 64ns |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |